RAM ROM Flash UFS 区别

1.RAM分类

RAM DRAM SDRAM 同步动态随机存取存储器,需要刷新,速度快,容量大
掉电丢失数据 动态随机存取存储器 DDR SDRAM 双倍速率SDRAM(内存条),工作电压2.5V/2.6V
DDR2 SDRAM 内存时钟 200~533MHz,工作电压1.8V
DDR3 SDRAM 内存时钟 400~1066MHz,工作电压1.5V/1.35
DDR4 SDRAM 16bit预取机制(DDR3为8bit),工作电压1.2V
DDR5 SDRAM 工作电压1.1V
GDDR SDRA 图形DDR,目前有GDDR2~6
LPDDR SDRAM 低功率DDR,时钟166MHz,LPDDR2其工作电压1.2V,时钟100~533MHz
RDRAM
SRAM 静态随机存取存储器,不用刷新,速度可以非常快,价格高,容量小,一种置于CPU的高速缓存(Cache)
DARAM 双口RAM,一个时钟周期可访问两次
SARAM 单口RAM,一个时钟周期访问一次
PSRAM 伪静态存储器,内部自带刷新机制

2.ROM分类

ROM ROM 只能写入一次,如CD-ROM、DVD-ROM
PROM 可编程ROM,内部是行列式熔断丝
EPROM 紫外线可擦除,写入时需要用编程器产生高压脉冲信号
OTP-ROM 一次可编程ROM,写入原理与EPROM相同
EEPROM 电可擦除

3.Flash分类

Flash NOR Flash 以扇区为单位写,可随机读取,程序可直接运行,容量小 Parallel NOR Flash
闪存 Serial NOR Flash
Nand Flash 以块为单位读写,不能直接运行程序,容量大 SLC、MLC、TLC、QLC
MMC MMC接口、NAND Flash、主控制器
eMMC Flash 嵌入式存储解决方案,带有MMC接口(并行数据总线)、NAND Flash、主控制器
UFS 串行数据总线、Nand Flash、主控制器

eMMC的最新 5.1标准理论最高值最高可以达到400MB/s,UFS的最大优势就是双通道双向读写,UFS3.0接口带宽最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。

eMMC的电路接口与SD卡是一样的,SD卡只是焊接在PCB上,然后做上金手指和外壳。eMMC支持8位和4位数据总线,SD卡标准是4位数据总线。

eMMC有两条总线,分别传输指令数据输入和输出,而且因为是并行总线还要有额外的data strobe。而UFS则是有两条差分的数据lane,指令和数据都是以packet的形式发送的。

SSD = 主控 + DRAM缓存 + Nand Flash

eMMC = 主控 + Nand Flash + 标准封装接口