1.RAM分类
| RAM | DRAM | SDRAM | 同步动态随机存取存储器，需要刷新，速度快，容量大 |
| 掉电丢失数据 | 动态随机存取存储器 | DDR SDRAM | 双倍速率SDRAM（内存条），工作电压2.5V/2.6V |
| DDR2 SDRAM | 内存时钟 200~533MHz，工作电压1.8V | ||
| DDR3 SDRAM | 内存时钟 400~1066MHz，工作电压1.5V/1.35 | ||
| DDR4 SDRAM | 16bit预取机制（DDR3为8bit），工作电压1.2V | ||
| DDR5 SDRAM | 工作电压1.1V | ||
| GDDR SDRA | 图形DDR，目前有GDDR2~6 | ||
| LPDDR SDRAM | 低功率DDR,时钟166MHz，LPDDR2其工作电压1.2V，时钟100~533MHz | ||
| RDRAM | |||
| SRAM | 静态随机存取存储器，不用刷新，速度可以非常快，价格高，容量小，一种置于CPU的高速缓存（Cache) | ||
| DARAM | 双口RAM，一个时钟周期可访问两次 | ||
| SARAM | 单口RAM，一个时钟周期访问一次 | ||
| PSRAM | 伪静态存储器，内部自带刷新机制 |
2.ROM分类
| ROM | ROM | 只能写入一次，如CD-ROM、DVD-ROM |
| PROM | 可编程ROM，内部是行列式熔断丝 | |
| EPROM | 紫外线可擦除，写入时需要用编程器产生高压脉冲信号 | |
| OTP-ROM | 一次可编程ROM，写入原理与EPROM相同 | |
| EEPROM | 电可擦除 |
3.Flash分类
| Flash | NOR Flash | 以扇区为单位写，可随机读取，程序可直接运行，容量小 | Parallel NOR Flash |
| 闪存 | Serial NOR Flash | ||
| Nand Flash | 以块为单位读写，不能直接运行程序，容量大 | SLC、MLC、TLC、QLC | |
| MMC | MMC接口、NAND Flash、主控制器 | ||
| eMMC Flash | 嵌入式存储解决方案，带有MMC接口（并行数据总线）、NAND Flash、主控制器 | ||
| UFS | 串行数据总线、Nand Flash、主控制器 |
eMMC的最新 5.1标准理论最高值最高可以达到400MB/s，UFS的最大优势就是双通道双向读写，UFS3.0接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。
eMMC的电路接口与SD卡是一样的，SD卡只是焊接在PCB上，然后做上金手指和外壳。eMMC支持8位和4位数据总线，SD卡标准是4位数据总线。
eMMC有两条总线，分别传输指令数据输入和输出，而且因为是并行总线还要有额外的data strobe。而UFS则是有两条差分的数据lane，指令和数据都是以packet的形式发送的。
SSD = 主控 + DRAM缓存 + Nand Flash
eMMC = 主控 + Nand Flash + 标准封装接口
