0%

微带线与带状线区别

1、带状线

走在内层 (stripline/double stripline),埋在 PCB 内部的带状走线。如下图

蓝色部分是导体,绿色部分是PCB的绝缘电介质,stripline 是嵌在两层导体之间的带状导线。

因为 stripline 是嵌在两层导体之间,所以它的电场分布都在两个包它的导体(平面)之间,不会辐射出去能量,也不会受到外部的辐射干扰。但是由于它的周围全是电介质(介电常数比1大),所以信号在 stripline 中的传输速度比在 microstrip line 中慢!

2、微带线

是走在表面层 (microstrip),附在PCB表面的带状走线。如下图

蓝色部分是导体,绿色部分是 PCB 的绝缘电介质,上面的蓝色小块儿是 microstrip line,黄色部分是环氧有机材料。

由于 microstrip line(微带线)的一面裸露在空气里面(可以向周围形成辐射或受到周围的辐射干扰),而另一面附在PCB的绝缘电介质上,所以它形成的电场一部分分布在空中,另一部分分布在PCB的绝缘介质中。但是 microstrip line 中的信号传输速度要比 stripline 中的信号传输速度快,这是其突出的优点!

dB dBm dBd dBi 相关知识

dB 就是把一个很大(后面跟一长串0的)或者很小(前面有一长串0的)的数比较简短地表示出来,它们都是功率增益的单位。

1、公式

  • 3dB ≈ 10lg2,即功率放大两倍(lg2 ≈ 0.30103)

  • dB = 10lg(功率A/功率B),注:功率A/功率B就是放大倍数

  • dBm = 10log(功率/1mw)

  • dBd = 10log(天线输出功率/天线偶极子功率),d 代表dipole(偶极子),dBd 为无单位的相对值

  • dBi = 10log(天线输出功率/全向天线功率),i 代表 isotropic antenna(全向天线),dBi 为无单位的相对值

2、dB

dB 表示一个相对值,纯粹的比值,只表示两个量的相对大小关系,没有单位。

当计算 A 的功率相比于 B 的功率大或小多少个 dB 时,按公式 10log(A/B) 计算。

如果采用两者的电压比计算,按公式 20log(A/B) 计算。

  • A 功率比 B 功率大一倍,那么 10log(A/B) = 10lg(A/B) = 10lg2 ≈ (10×0.30103)dB = 3dB
  • A 功率是 B 功率的一半,那么 10log(A/B) = 10lg(A/B) = 10lg(1/2) ≈ (10×-0.30103)dB = -3dB

3、dBm

  • dBm 表示功率跟 1mW 比,10log(P/1mW) = 10lg(P/1mW)

  • dBw 表示功率跟 1W 比,10log(P/1W) = 10lg(P/1W)

A 的功率 P = 1mW,折算为 dBm 后为:10lg(1mW/1mW) = 0dBm

A 的功率 P = 40W,折算为 dBm 后为:10lg(40W/1mW) = 10lg(40000) = 10lg4 + 10lg(10000) = 2×10lg2 + 40lg(10) = 46dBm

4、dB 与 dBm 的运算

总之,dB 是两个量之间的比值,表示两个量间的相对大小,而 dBm 表示功率绝对大小的值。

在计算中,需要注意 dBm 减另外一个 dBm 时,得到的结果是 dB。

  • dBm 与 dBm 之间只有加减,没有乘除。而用得最多的是减法:dBm 减 dBm 实际上是两个功率相除,信号功率和噪声功率相除就是信噪比(SNR)。

  • dBm 与 dB 之间可加可减。

  • dB 与 dB 之间一般只是做加法。例:A 到 B 增益 20dB,B 到 C 衰减 35dB,则 A 到 C 就是 20-35=-15dB。

5、通信功率

简单来说,dB就是功率放大倍数的另一种表达方法,也就是说dB和放大倍数是一一对应的关系。

1、查表

放大倍数 增益(dB) 放大倍数 增益(dB)
1 0 19.95 13
1.26 1 39.81 16
1.58 2 100 20
2 3 1,000 30
2.51 4 10,000 40
3.16 5 100,000 50
3.98 6 1,000,000 60
5.01 7 10,000,000 70
6.31 8 100,000,000 80
7.94 9 1,000,000,000 90
10 10 10,000,000,000 100
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1.分类

EMC 电磁兼容 EMI 电磁干扰 CE 传到干扰 电源线、控制线、天线端口
RE 辐射干扰 电场、磁场
EMS 电磁抗扰度 CS 传导抗扰 电源线/信号线(射频、瞬态)、天线端口
RS 辐射抗扰 电场、磁场
ESD 静电放电

2.名词介绍

EMC:即电磁兼容,指电气及电子设备在共同的电磁环境中能够执行各自功能的共存状态,即要求在同一电磁环境中各种设备都能正常工作又互不干扰,达到“兼容”的状态。
EMI:即电磁干扰,指电磁波与电子元器件作用后而产生的干扰现象,有传导干扰和辐射干扰两种。
EMS:即电磁敏感度,指电子设备受到电磁干扰的敏感程度。
ESD:即静电释放,用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称静电阻抗器。

3.三要素三规律

产生EMC问题的三个要素是:电磁干扰源耦合途径敏感设备

规律一、EMC费效比关系规律: EMC问题越早考虑、越早解决,费用越小、效果越好。
规律二、高频电流环路面积S越大, EMI辐射越严重。
规律三、环路电流频率f越高,引起的EMI辐射越严重,电磁辐射场强随电流频率f的平方成正比增大。

4.措施

1、传输通道抑制:具体的方法有滤波、屏蔽、接地、搭接、合理的布线;
2、空间分离:即通过加大骚扰源和敏感电路间的距离,抑制空间辐射骚扰和感应耦合骚扰的有效方法;
3、时间分离:有用信号在干扰信号发射时短暂关闭,而在干扰信号停止的时间内传输;
4、频谱处理:频谱改变、展频技术;
5、电气隔离:光电隔离、继电器隔离、变压器隔离、DC/DC变换。

1.RAM分类

RAM DRAM SDRAM 同步动态随机存取存储器,需要刷新,速度快,容量大
掉电丢失数据 动态随机存取存储器 DDR SDRAM 双倍速率SDRAM(内存条),工作电压2.5V/2.6V
DDR2 SDRAM 内存时钟 200~533MHz,工作电压1.8V
DDR3 SDRAM 内存时钟 400~1066MHz,工作电压1.5V/1.35
DDR4 SDRAM 16bit预取机制(DDR3为8bit),工作电压1.2V
DDR5 SDRAM 工作电压1.1V
GDDR SDRA 图形DDR,目前有GDDR2~6
LPDDR SDRAM 低功率DDR,时钟166MHz,LPDDR2其工作电压1.2V,时钟100~533MHz
RDRAM
SRAM 静态随机存取存储器,不用刷新,速度可以非常快,价格高,容量小,一种置于CPU的高速缓存(Cache)
DARAM 双口RAM,一个时钟周期可访问两次
SARAM 单口RAM,一个时钟周期访问一次
PSRAM 伪静态存储器,内部自带刷新机制

2.ROM分类

ROM ROM 只能写入一次,如CD-ROM、DVD-ROM
PROM 可编程ROM,内部是行列式熔断丝
EPROM 紫外线可擦除,写入时需要用编程器产生高压脉冲信号
OTP-ROM 一次可编程ROM,写入原理与EPROM相同
EEPROM 电可擦除

3.Flash分类

Flash NOR Flash 以扇区为单位写,可随机读取,程序可直接运行,容量小 Parallel NOR Flash
闪存 Serial NOR Flash
Nand Flash 以块为单位读写,不能直接运行程序,容量大 SLC、MLC、TLC、QLC
MMC MMC接口、NAND Flash、主控制器
eMMC Flash 嵌入式存储解决方案,带有MMC接口(并行数据总线)、NAND Flash、主控制器
UFS 串行数据总线、Nand Flash、主控制器

eMMC的最新 5.1标准理论最高值最高可以达到400MB/s,UFS的最大优势就是双通道双向读写,UFS3.0接口带宽最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。

eMMC的电路接口与SD卡是一样的,SD卡只是焊接在PCB上,然后做上金手指和外壳。eMMC支持8位和4位数据总线,SD卡标准是4位数据总线。

eMMC有两条总线,分别传输指令数据输入和输出,而且因为是并行总线还要有额外的data strobe。而UFS则是有两条差分的数据lane,指令和数据都是以packet的形式发送的。

SSD = 主控 + DRAM缓存 + Nand Flash

eMMC = 主控 + Nand Flash + 标准封装接口

高速信号PCB阻抗设计要求

高速信号 阻抗要求 误差 走线
DDR 100Ω ±10%
eMMC 50Ω ±10%
PCIe
USB 90Ω ±10% 差分
HDMI 100Ω ±10%
eDP 90Ω ±10% 差分
MIPI 100Ω ±10% 差分
SDIO/SDMMC 50Ω ±10%

1. USB-Type-C接口包括

  • 支持DisplayPort, PCIe等alternate mode的两组Superspeed USB线路(RX1/TX1和RX2/TX2)
  • 用于Alternate Mode的两条Sideband Use(SBU)线路
  • 用于Hi-Speed USB 2.0的Dp和Dn线路
  • 用于总线供电的VBUS线路
  • 用于为线缆控制器供电的VCONN 线路(只位于Type-C插头接口上)
  • 用于PD通信的配置信道(CC)。

2. 插头反转

Type-C插座可处理线缆插头的任意方向。USB-Type-C插座完全对称。所有的供电、接地和信号引脚两边对称,从而让USB-Type-C插头能够在Type-C接口中任意翻转。

  • GND、USB 2.0和VBUS 信号保持连接。USB 2.0信号被复制到Type-C插座的上下两层,以保持任意方向的连接。
  • 插头上的VCONN 或CC引脚可以连接插座中的任意一个配置信道引脚-CC1或CC2 (取决于插入方向)。
  • 两条Superspeed线路的其中一条保持正确连接,USB-Type-C 插座必须使用SuperSpeed mux合理地进行连接

USB-Type-C正反插

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许多刚进行电路设计的人员会在设计电路中将电阻任意取值,这会导致该电阻无法购买到。
实际上国家标准规定了电阻的阻值按其精度分为两大系列,分别为 E-24 系列和 E-96 系列,E-24 系列精度为 5%,E-96 系列为 1%。
在这两种系列之外的电阻为非标电阻,较难采购。
下面列出了常用的 5% 和 1% 精度电阻的标称值,供大家设计时参考。

1. 常用 5% 的电阻值

常用电阻值-5%

2. pdf 文档下载连接

电阻精度与常用阻值.pdf

电阻值对照表.pdf

1. 助焊剂(flux)分类

助焊剂(flux)

2. 助焊剂作用

  • 在焊接工艺中能帮助和促进焊接过程
  • 清除焊料和被焊母材表面的氧化物,使金属表面达到必要的清洁度(去除氧化物)
  • 去除被焊接材质表面油污、增大焊接面积
  • 防止焊接时表面的再次氧化
  • 降低被焊接材质表面张力
  • 提高焊接性能
  • 辅助热传导
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1. 开启站点地图

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# 开启站点地图,需要安装 hexo-generator-sitemap 扩展包
npm install hexo-generator-sitemap --save

2. 开启本地搜索

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# 开启本地搜索,需要安装 hexo-generator-searchdb 扩展包
npm install hexo-generator-searchdb

3. 部署到服务器

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# 部署到服务器,需要安装 npm install hexo-deployer-git --save 扩展包
npm install hexo-deployer-git --save

4. 查看 Hexo 运行所需要的依赖

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npm ls --depth 0
# 如果还想展开一层看看这些模块各自又依赖了哪些模块,那就运行下面的命令
npm ls --depth 1

5. 卸载 Hexo category 和 tag 模块

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npm uninstall hexo-generator-category
npm uninstall hexo-generator-tag
# 卸载 category 和 tag 模块